ECIS-3000은 실리콘 웨이퍼 에지의 결함 및 실리콘 웨이퍼 표면의 헤이즈 패턴을 검출 및 측정하는 장비입니다. 단결정 실리콘 잉곳이나 Si Wafer를 성장시키는 과정에서 COP, FPD(Flow Pattern Defect), 산소유도 등의 결정결함 발생 OiSF(Stacking Fault), BMD(Bulk Micro Defect) 등은 반도체 수율과 품질에 큰 영향을 미칩니다. 파티클, 스크래치, 칩, 크랙 등 웨이퍼의 결함은 수율 손실의 주요 원인이며, 이 공정은 신뢰성이 높고 정밀한 머신 비전 시스템을 사용해야 합니다. 이러한 단결정 실리콘 웨이퍼의 결함 영역을 식별하는 방법은 Cu-haze 방법입니다. 단결정 실리콘 웨이퍼에 구리(Cu)를 의도적으로 오염시킨 후 열처리 조건에 따라 구리(Cu)가 웨이퍼 내부 또는 표면에 어떻게 분포되어 있는지를 확인하여 결정결함을 판별하여 측정합니다. ECIS-3000은 전처리된 실리콘 웨이퍼 샘플(Cu 등)을 적재하는 장비입니다.
표면의 Cu-haze 결함을 감지하고 결함에 대한 정보를 제공합니다. ECIS-3000은 300mm 실리콘 웨이퍼 뿐만 아니라 200mm 실리콘 웨이퍼도 간단한 수동 조작으로 검사할 수 있습니다.