CHAC-3000은 Si Wafer 표면의 Haze Pattern을 측정하는 장비입니다. 단결정 실리콘 잉곳이나 Si Wafer를 성장시키는 과정에서 COP(Crystal Original Parts), FPD(Flow Pattern Defect), OiSF(Oxygen induced Stacking Fault), BMD(Bulk Micro Defect) 등의 결정 결함은 반도체 수율 및 품질에 큰 영향을 미칩니다. 이러한 단결정 실리콘 웨이퍼의 결함 영역을 식별하는 방법 중 하나는 Cu-haze 방법입니다. 단결정 실리콘 웨이퍼에 구리(Cu)를 의도적으로 오염시킨 후 열처리 조건에 따라 구리(Cu)가 웨이퍼 내부 또는 표면에 어떻게 분포되어 있는지를 확인하여 결정결함을 판별하여 측정합니다. CHAC-3000(Cu-haze auto counter)은 전처리된 실리콘 웨이퍼 샘플(Cu 오염 및 열처리 등)을 적재하여 검출하는 장비입니다. 표면의 Cu-haze 결함을 감지하고 결함에 대한 정보를 제공합니다.