EDIS-3000은 실리콘 웨이퍼의 Edge 결함과 실리콘 웨이퍼 표면의 COP(Crystal Originated Pits)를 검출 및 측정하는 장비입니다. 단결정 실리콘 잉곳이나 Si 웨이퍼를 성장시키는 과정에서 COP, FPD(Flow Pattern Defect), OiSF(Oxygen induced Stacking Fault), BMD(Bulk Micro Defect) 등의 결정 결함은 반도체에 큰 영향을 미칩니다. 수율과 품질. Particle, Scratch, Chip, Crack과 같은 웨이퍼의 결함은 수율 손실의 주요 원인이며, 이 공정은 신뢰성이 높고 정밀한 머신 비전 시스템을 사용해야 합니다.
이러한 단결정 실리콘 웨이퍼의 결함 영역을 식별하는 방법은 DSOD(Direct Surface Oxide Defect) 측정 시스템입니다. COP는 게이트 산화물 무결성 특성을 저하시키는 결함입니다.
웨이퍼의 온도를 1100°C 이하로 냉각하면 액세스 공공이 모여 결정 격자에 50~100nm 크기를 형성합니다. DSOD 분석법을 통해 COP의 수와 크기를 빠르고 정확하게 감지할 수 있습니다. EDIS-3000은 간단한 수동 조작으로 300mm 실리콘 웨이퍼뿐만 아니라 200mm 실리콘 웨이퍼 표면의 COP 결함을 검출할 수 있습니다.